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STGF15M65DF2

功能描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

制造商：stmicroelectronics

系列：-

包装：管件

零件状态：有效

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：60A

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2V @ 15V，15A

功率 - 最大值：31W

开关能量：90μJ（开），450μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：45nC

25°C 时 Td（开/关）值：24ns/93ns

测试条件：400V，15A，12 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：142ns

封装/外壳：TO-220-3 整包

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220FP

标准包装：50

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